Les semi-conducteurs de puissance de nouvelle génération, en particulier ceux basés sur le SiC (carbure de silicium) et le GaN (nitrure de gallium), s’imposent comme des technologies stratégiques pour améliorer l’efficacité énergétique. Ils permettent de réduire les pertes dans la conversion de puissance, rendant les véhicules électriques plus performants, les chargeurs plus rapides et les réseaux électriques plus stables.
Hors Chine, une série d’acteurs européens, américains et japonais dominent ce segment. Pour les investisseurs, ces entreprises offrent une exposition directe à la croissance structurelle de l’électrification mondiale.
Résumé rapide
- Les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) et nitrure de gallium (GaN) sont au cœur de la transition énergétique et des véhicules électriques.
- Le marché mondial devrait connaître une croissance annuelle à deux chiffres jusqu’en 2030.
- Hors Chine, les leaders cotés incluent Infineon, STMicroelectronics, Wolfspeed, ON Semiconductor, Navitas, NXP.
- Les opportunités se situent dans les EVs, énergies renouvelables, infrastructures de recharge et data centers.
- Les risques : coûts de production élevés, cycles de demande volatils, concurrence asiatique.
Moteurs de marché & tendances
Électrification des transports
- Les constructeurs automobiles adoptent massivement les onduleurs et MOSFETs SiC pour prolonger l’autonomie et réduire le poids des batteries.
- Le GaN progresse dans les chargeurs embarqués et les convertisseurs rapides.
Énergies renouvelables et réseaux
- Les convertisseurs pour l’éolien et le solaire intègrent de plus en plus de semi-conducteurs SiC.
- Les réseaux HVDC bénéficient des performances en haute tension et en haute fréquence.
Data centers et électronique grand public
- Le GaN s’impose dans les chargeurs rapides (smartphones, ordinateurs portables).
- Les data centers adoptent le SiC pour améliorer l’efficacité énergétique et réduire la consommation électrique.
Principales entreprises cotées hors Chine (2025)
| Entreprise | Ticker | Marché | Capitalisation approx. | Spécialisation |
|---|---|---|---|---|
| Infineon Technologies | IFX.DE | Deutsche Börse | ~55 Mds € | Semi-conducteurs SiC pour EVs et énergie |
| STMicroelectronics | STM.PA | Euronext Paris | ~45 Mds € | Fournisseur SiC pour Tesla et constructeurs européens |
| Wolfspeed | WOLF | Nasdaq | ~3,5 Mds $ | Pure player SiC basé aux US |
| ON Semiconductor | ON | Nasdaq | ~37 Mds $ | MOSFETs SiC, solutions pour véhicules électriques |
| Navitas Semiconductor | NVTS | Nasdaq | ~1,3 Mds $ | Spécialiste GaN pour chargeurs et data centers |
| NXP Semiconductors | NXPI | Nasdaq | ~60 Mds $ | Diversifié, en croissance dans le SiC/GaN automobile |
| Mitsubishi Electric | 6503.T | Tokyo | ~30 Mds $ | SiC pour HVDC, onduleurs industriels |
| Rohm Semiconductor | 6963.T | Tokyo | ~4 Mds € | Fournisseur SiC reconnu dans l’automobile |
Opportunités d’investissement
- Croissance structurelle portée par l’électrification des transports et les politiques de transition énergétique.
- Diversification sectorielle : EVs, renouvelables, data centers, électronique grand public.
- Positionnement stratégique des acteurs occidentaux face aux ambitions chinoises, avec des barrières technologiques (brevets, R&D).
- Partenariats industriels : accords de long terme avec constructeurs automobiles et fabricants de batteries.
Risques à surveiller
- Cycles de demande : volatilité du marché des semi-conducteurs, sensible aux ralentissements économiques.
- Capex massif : coûts très élevés pour développer de nouvelles usines SiC/GaN.
- Chaîne d’approvisionnement : dépendance aux wafers et matériaux critiques.
- Concurrence asiatique : acteurs chinois subventionnés et fabricants coréens/taïwanais agressifs.
- Valorisations tendues : certaines actions reflètent déjà des attentes de croissance élevées.
Perspectives 2025–2030
- Le marché du SiC pourrait croître de plus de 25 % par an, celui du GaN de 20 %.
- D’ici 2030, plus de la moitié des véhicules électriques haut de gamme devraient intégrer du SiC.
- Le GaN pourrait devenir la norme dans les chargeurs grand public et les alimentations de serveurs.
- Consolidation probable : acquisitions de petits acteurs GaN par des groupes plus grands.
- Opportunité pour les investisseurs long terme : exposition à une technologie clef de la décarbonation et de l’efficacité énergétique.
FAQ
Qu’est-ce que le SiC et le GaN ?
Le SiC (carbure de silicium) et le GaN (nitrure de gallium) sont des matériaux utilisés pour fabriquer des semi-conducteurs de puissance plus efficaces que le silicium classique.
Pourquoi investir dans ce secteur en 2025 ?
Parce que la demande explose avec les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les besoins en efficacité énergétique dans les data centers.
Quels sont les leaders hors Chine ?
Infineon, STMicroelectronics, Wolfspeed, ON Semiconductor, Navitas, NXP, Mitsubishi Electric et Rohm.
Quels sont les risques majeurs ?
Coûts élevés de production, cycles de demande volatils et concurrence croissante, notamment depuis l’Asie.
SiC ou GaN : lequel a le plus de potentiel ?
Le SiC est privilégié pour les applications haute puissance (EVs, HVDC), tandis que le GaN s’impose dans les applications basse/moyenne puissance (chargeurs, data centers).