Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sind das Herz moderner Energieumwandlung. Sie ermöglichen höhere Schaltfrequenzen, geringere Verluste und kompaktere Designs – entscheidend für EV-Inverter, On-Board-Charger, DC-Schnellladestationen, Industrieantriebe, PV-/Wind-Umrichter sowie Server- und HPC-Stromversorgungen.
Für Investoren außerhalb Chinas ist der adressierbare Markt groß und wächst strukturell – getragen von E-Mobilität, Netzausbau, Datacenter-Elektrifizierung und Energieeffizienz-Regulierung. Gewinner vereinen vertikale Integration (Wafer → Devices → Module), gesicherte Rohstoffquellen, Fertigungsskalierung und OEM-Bindungen.
Kurzfassung
- Wide-Bandgap-Boom: SiC/GaN steigern Effizienz in E-Autos, Schnellladen, Industrie & Rechenzentren.
- Marktführer ex-China: Infineon, STMicro, onsemi (SiC); Navitas, Power Integrations (GaN).
- Engpass Wafer/Module bleibt zentral – Skalierung & Yield entscheiden über Margen.
- CAGR 2025–2030 im hohen einstelligen bis niedrigen zweistelligen Bereich erwartet.
- Bewertung & Zyklik genau prüfen; Pipeline, Kapazitätsausbau und Kundenmix sind entscheidend.
Markttreiber & Trends
E-Mobilität & Ladeinfrastruktur
- SiC-MOSFETs dominieren bei 800-V-EV-Architekturen (Traktionsinverter, DC-DC, OBC).
- GaN setzt sich im Hochfrequenz-Schnellladen (400–650 V) und Server-PSUs durch.
Datacenter & KI-Stromversorgung
- Hyperscaler migrieren auf hocheffiziente PFC/LLC-Topologien; GaN senkt Verluste und Baugröße, steigert Rack-Dichte.
Industrie & Erneuerbare
- SiC-Module in Mittelspannungs-Umrichtern (PV, Wind, Industrieantriebe) erhöhen Wirkungsgrad & Leistungsdichte.
- Netzstabilität & HV-Applikationen profitieren von thermisch robusten SiC-Bauelementen.
Lieferkette & Kapazitäten
- Engpässe bei SiC-Substraten/Epitaxie bleiben ein Kernrisiko; Yield-Verbesserungen & 200-mm-Umstellung sind Margenhebel.
Wichtige börsennotierte Unternehmen (ex-China)
Überblickstabelle (Auswahl)
| Unternehmen | Ticker | Börse/Region | Marktkap. (ca.) | Kernrolle im WBG-Stack |
|---|---|---|---|---|
| Infineon Technologies | IFX.DE | Xetra (DE) | ~€55–60 Mrd. | SiC-Devices/Module, Automotive-Fokus, starker OEM-Footprint |
| STMicroelectronics | STM | Euronext/NYSE (EU/US) | ~$40–50 Mrd. | SiC-Devices/Module, Auto & Industrie, vertikale Expansion |
| onsemi | ON | Nasdaq (US) | ~$30–40 Mrd. | SiC-Devices/Module mit Auto-Schwerpunkt, aggressiver Kapazitätsausbau |
| Wolfspeed | WOLF | NYSE (US) | ~$4–8 Mrd. | SiC-Wafer/Epi & Devices, 200-mm Ramp-Up – hoher Operating Leverage |
| ROHM | 6963.T | TSE (JP) | ~$6–8 Mrd. | SiC-Devices/Module, Auto-Ökosystem (JP/EU) |
| Mitsubishi Electric | 6503.T | TSE (JP) | ~$25–35 Mrd. | SiC-Leistungsmodule, Industrie & Mobilität |
| Coherent | COHR | NYSE (US) | ~$10–15 Mrd. | SiC-Substrate/Epi – kritischer Upstream-Hebel |
| Power Integrations | POWI | Nasdaq (US) | ~$4–6 Mrd. | GaN-ICs (Offline-PSU), Industrie/Consumer & Server |
| Navitas Semiconductor | NVTS | Nasdaq (US) | ~$1–3 Mrd. | Pure-Play GaN (Charger/Datacenter), wachsender SiC-Vorstoß |
| Microchip Technology | MCHP | Nasdaq (US) | ~$40–50 Mrd. | SiC-Portfolio für Auto/Industrie (ergänzend zum MCU-Kern) |
Hinweis: Marktkapitalisierungen gerundet; dienen der Einordnung.
Ergänzende Kandidaten: Texas Instruments (TXN) (GaN-Power-Stages), Renesas (6723.T) (WBG-Ausbau), Vishay (VSH) (Leistungskomponenten).
ETFs als breiter Zugang
| ETF | Ticker | Börse/Region | Fokus |
|---|---|---|---|
| iShares Semiconductor | SOXX | Nasdaq (US) | US-Halbleiter-Leaders, inkl. Power-Exposure |
| VanEck Semiconductor | SMH | Nasdaq (US) | Breiter Semi-Basket, Mega/Large Caps |
| SPDR S&P Semiconductor | XSD | NYSE Arca (US) | Gleichgewichtet – stärkeres Mid-Cap-Exposure |
[LINK: Halbleiter-ETFs erklärt]
Unternehmens-Spotlights (Investor-Winkel)
Infineon (IFX.DE)
These: Skalenvorteile in Auto-SiC, breiter Module-Baukasten, tiefe OEM-Beziehungen.
Worauf achten: 200-mm-SiC-Ramp-Up, Mix in Auto vs. Industrie, Pricing-Disziplin.
STMicro (STM)
These: Starke Auto-Pipeline (SiC-Inverter/OBC), vertikale Integration nimmt zu.
Worauf achten: Kapazitätszuwächse, modulare Design-Wins, Bruttomargen-Pfad.
onsemi (ON)
These: Fokusierter Auto-Play mit SiC-Modulen, Disziplin bei Portfolio & Capex.
Worauf achten: Langfristverträge (LTCs), Yield/Cost-Roadmap, EV-Zyklus.
Wolfspeed (WOLF)
These: Upstream-Hebel (Wafer/Epi) + Devices; größter Operative-Leverage im Zyklus.
Worauf achten: 200-mm-Yield, Cash-Burn vs. Ramp, Kundenabnahmepläne.
Navitas (NVTS) & Power Integrations (POWI) – GaN-Pure/Leader
These: GaN skaliert in Schnelllade-Adaptern, Server-PSUs, PV-Optimierern.
Worauf achten: Datacenter-Design-Wins, Zuverlässigkeit (RDS(on)-Drift, SOA), Bruttomargen bei Volumen.
Chancen & Risiken
Chancen
- Effizienzdividende: OEMs wechseln aus Performance-/Packaging-Gründen auf WBG – ASP-Prämien möglich.
- Vertikale Integration: Eigene Substrate/Epi/Module stabilisieren Margen und Lieferfähigkeit.
- Politische Rückenwinde: Energieeffizienz-Vorgaben, EV-Quoten, Netzausbau, Re-/Nearshoring.
Risiken
- Wafer-/Epi-Engpässe: Limitieren Volumen; Yield-Volatilität belastet Kosten.
- Zyklik & Kundendichte: EV-/Industrie-Zyklen; Konzentration auf wenige OEMs erhöht Klumpenrisiko.
- Preis-/Mixdruck: Mit steigender Kapazität droht ASP-Erosion, v. a. in GaN-Standard-Bausteinen.
- Capex-Intensität: 200-mm-SiC-Fabs & Epi-Kapazitäten binden Kapital; Ramp-Risiko.
Bewertungs- und Due-Diligence-Leitfaden (How-To)
- Produkt-Positionierung prüfen: Spannungs-/Stromklassen, Packaging (Module vs. Discretes), Referenzdesigns.
- Vertikale Tiefe: Eigene Substrate/Epi? Partnerschaften? Lieferkontrakte (Take-or-Pay)?
- Kundenmix & Design-Wins: EV-OEMs, Tier-1s, Hyperscaler/PSU-Anbieter, Industrie-Inverter.
- Fertigungs-KPIs: Yield-Trend, 150→200-mm-Fortschritt, Scrap-Rates, Durchlaufzeit.
- Finanz-KPIs: Bruttomarge vs. Mix, FCF-Pfad trotz Capex, Lagerumschlag, ASP-Trend.
- Risiko-Checks: Abnahmepläne, qualifizierte Second-Sources, Technologieroadmap (Rohm-/Gate-Oxide-Reliability).
[LINK: Checkliste für Halbleiter-Due-Diligence]
Langfrist-Ausblick 2025–2030 (Katalysatoren)
- EV-Durchdringung >50 % in Kernmärkten (je nach Szenario): SiC-Inverter/Module gewinnen Volumen; OBC auf SiC/GaN.
- Datacenter-Effizienz: GaN in PFC/LLC & Point-of-Load setzt sich durch, getrieben von KI-Leistungsaufnahme.
- Netz & Industrie: SiC-Module in Mittelspannungs-Drives, PV/HV-Umrichtern, Grid-forming-Systemen.
- Skalierung 200-mm SiC: Kostendegression & bessere Verfügbarkeit – potenziell Margen-Kick für integrierte Player.
- M&A & Partnerschaften: OEM-Sicherung von Lieferketten (LTAs, Equity-Deals) stützt Kapazitätsausbau.
FAQ
Welche Aktien gelten 2025 als Kernwerte für SiC außerhalb Chinas?
Vor allem Infineon, STMicro und onsemi dank starker Auto-/Industrie-Design-Wins und Kapazitätsskalierung.
Wer sind interessante GaN-Plays?
Power Integrations und Navitas für Netzteile/Server/Schnellladen; zusätzlich Texas Instruments als breit aufgestellter Anbieter.
Ist Wolfspeed ein Spezialfall?
Ja. Als Upstream-Hebel (Wafer/Epi) ist die Aktie sensibel gegenüber Ramp-/Yield-Fortschritten – bei Erfolg jedoch hoher Leverage auf den SiC-Zyklus.
Wie vergleiche ich SiC vs. GaN als Investment-Thema?
SiC adressiert höhere Spannungen/Leistungen (EV, Industrie), GaN punktet bei hoher Frequenz & Dichte (Server/Charger). Viele Portfolios kombinieren beide.
Welche Kennzahlen sind für die Bewertung am wichtigsten?
Design-Wins, vertikale Integration, Yield-Trend, 200-mm-Fortschritt, Bruttomarge, FCF-Pfad und Kundenmix.