SiC og GaN er næste generations powermaterialer, der driver den elektrificerede økonomi: SiC leverer lavere tab ved høje spændinger og temperaturer og er derfor ideel til EV-drivlinjer, DC-hurtigladere, industrielle drivsystemer og net/højtryk. GaN muliggør kompakte, højfrekvente og ekstremt effektive konvertere i datacentre, telecom, forbrugerelektronik og mellemspændings-applikationer.
For investorer giver feltet mulighed for eksponering mod strukturel vækst på tværs af EV, vedvarende energi og cloud/AI – men også med markante udførelses- og kapacitetsrisici.
Kort opsummering
- SiC (siliciumkarbid) dominerer høj effekt/høj spænding (EV-drivlinjer, hurtigladere, industri & grid). GaN (galliumnitrid) vinder ved høj frekvens/høj densitet (datacentre, forbrugerelektronik, telecom).
- Vigtige aktier uden for Kina: Infineon (FRA:IFX), STMicro (NYSE:STM), onsemi (Nasdaq:ON), Wolfspeed (NYSE:WOLF), Rohm (TYO:6963), Mitsubishi Electric (TYO:6503), Renesas (TYO:6723), Texas Instruments (Nasdaq:TXN), Power Integrations (Nasdaq:POWI), Navitas (Nasdaq:NVTS).
- Katalysatorer 2025–2030: 200 mm SiC, højere EV-penetration, AI-datacentre (effektiv strømforsyning), net- og HVDC-udrulning, samt regional kapacitetsopbygning i USA/EU/Japan.
- Risici: yield og wafer-udbytte, capex/eksekvering i nye fabs, cyklisk efterspørgsel, teknologisk konkurrence (Si, GaN vs. SiC), kunderotation.
- Investor-fokus: ordreindtag i EV/ladere/datacentre, wafersubstrat-strategi (vertikal integration vs. foundry), kapacitetsplaner og bruttomargintrends.
Hvad er SiC og GaN?
- SiC (Siliciumkarbid): Bredbåndsmateriale med høj breakdown-spænding, lavt on-modstand ved høj temperatur. Bruges fra 650 V til 1700 V+ i EV-invertere, OBC/DC-DC, stationære omformere, HVDC-hjælpeudstyr og industrielle drev.
- GaN (Galliumnitrid): Høj elektronstrømning og skiftehastighed, velegnet til højfrekvens, høj effekttæthed. Typisk 100–650 V i server-PSU’er, hurtigladere, 5G-radio, samt stigende brug i AI-datacentres strømforsyning.
Markedsdrivere & tendenser
- EV & hurtigladning: Opgradering fra Si til SiC i EV-invertere og DC-hurtigladere for rækkevidde/virkningsgrad.
- AI-datacentre: Krav om højere effekttæthed og lavere tab i server-PSU’er og rectifiers løfter GaN.
- Net & industri: Frekvensomformere, HVDC-hjælpekonvertere, sol-/vind-invertere og solid-state effektelektronik accelererer SiC.
- 200 mm SiC-transition: Flytning fra 150 mm til 200 mm sigter mod skala og lavere cost/ampere – men med yield-risici.
- Regionale incitamenter: Offentlige støttepakker i USA/EU/Japan fremmer lokal produktion og forsyningssikkerhed.
- Vertikal integration: Egen wafer-/substratkapacitet giver omkostningskontrol og forsyningssikkerhed, men kræver høj capex.
Vigtigste børsnoterede selskaber (uden for Kina)
Markedsværdi er angivet som kategori (ikke præcise tal), da sektoren er volatil.
Mega: > 50 mia. USD · Large: 10–50 mia. USD · Mid: 2–10 mia. USD · Small: < 2 mia. USD
| Selskab | Ticker / Børs | Region | Markedsværdi (cirka) | Hovedeksponering (SiC/GaN) | Strategisk rolle |
|---|---|---|---|---|---|
| Infineon Technologies | FRA:IFX | EU (DE) | Mega | SiC & GaN power | Bred portefølje; stærk i bil/industri; GaN via interne platforme/opkøb; fokus på skala og modul-design. |
| STMicroelectronics | NYSE:STM | EU (CH/FR/IT) | Mega | SiC (EV, industri) + GaN | EV-drivlinjer og invertere; udbygger SiC-wafer- og modulkapaciteter; samarbejdsøkosystem med OEM’er. |
| onsemi | Nasdaq:ON | USA | Large | SiC (EV/ladere) | Vertikal SiC-strategi fra wafer til device; stor EV-eksponering og langsigtede leveringsaftaler. |
| Texas Instruments | Nasdaq:TXN | USA | Mega | SiC & GaN (udvalgt) | Bred analog/power-portefølje; løfter GaN/SiC i industri/datacentre; stærk kapitaldisciplin. |
| Renesas Electronics | TYO:6723 | Japan | Large | SiC & GaN | Udbygger power-portefølje via opkøb; kombinerer MCU/SoC med effekt-discretes og moduler. |
| Rohm | TYO:6963 | Japan | Mid/Large | SiC devices & moduler | Tidlig SiC-pioner med automotive-fokus; langsigtede EV-partnerskaber. |
| Mitsubishi Electric | TYO:6503 | Japan | Mega | SiC moduler | Stærk i industrielle drev, tog, energi; fokus på højspændings-moduler og pålidelighed. |
| Wolfspeed | NYSE:WOLF | USA | Mid | SiC wafers/devices | Ren SiC-eksponering med substrate-lederskab; høj capex og eksekveringsrisiko, men stor gearing til 200 mm. |
| Power Integrations | Nasdaq:POWI | USA | Mid | GaN/Si (AC-DC) | GaN-baserede switcher-IC’er til opladere, appliances og server-PSU’er; IP-styrke og nichebruttomarginer. |
| Navitas Semiconductor | Nasdaq:NVTS | USA/IRL | Small/Mid | GaN & SiC (fabless) | Høj vækst i GaN hurtigladere/server; SiC via modul-/device-portefølje; partnerdrevet fabrikation. |
| NXP Semiconductors | Nasdaq:NXPI | EU/NL | Mega | Power (begrænset GaN/SiC) | Auto-fokus; driver system-niveau powerstyring i kombi med MCU/RF; mindre ren eksponering men skalerbar efterspørgsel. |
Andre relevante: Analog Devices (Nasdaq:ADI) med power-management til industri/datacentre; Fuji Electric (TYO:6504) i SiC-moduler; Qorvo (Nasdaq:QRVO) har GaN-kompetence (primært RF, men med power-optioner).
Hvordan man analyserer aktierne (hurtig “How-To” for investorer)
- 1) Slutmarkeder: Hvor stor andel af omsætningen kommer fra EV/ladere, datacentre/AI, industri/net?
- 2) Teknologimix: Andel SiC vs. GaN i pipeline; plan for overgang til 200 mm SiC og roadmap for næste generations GaN-platforme.
- 3) Vertikal integration: Egen substrat/wafer vs. foundry; hvilke flerårige supply-aftaler er på plads?
- 4) Kapacitetsplaner & capex: Tidslinje for nye fabs, yield-mål, bruttomargin-stier; risiko ved forsinkelser.
- 5) Kundenærhed: Design-wins hos autoproducenter, lader-OEM’er, server/PSU-leverandører; låste modulkoncepter.
- 6) Valuation & kvalitet: Sammenhold P/E, EV/EBITDA, FCF-konvertering med vækst/ROIC og cyclicality.
(Overvej at linke til relaterede artikler: [LINK: EV-effekthalvledere], [LINK: Datacenter-strømforsyning], [LINK: HVDC & grid-powerelektronik])
Risici & udfordringer
- Yield og defektdensitet: Særligt i 200 mm SiC; lavt yield presser marginer og leveringstider.
- Capex & eksekvering: Store fabriksprojekter kræver fejlfri projektstyring; forsinkelser kan udhule moats.
- Cykler og lager: Forbrugerelektronik og industri kan svinge; double ordering og lager-resets påvirker kort sigt.
- Teknologisk konkurrence: Forbedret Si (SuperJunction), GaN rykker op i spænding; “rigtige” materialevalg kan skifte pr. applikation.
- Kunderotation & pris: Store OEM’er forhandler hårdt; prisfald over tid kræver kontinuerlige cost-downs.
- Handel & geopolitik: Eksportkontrol og regionalisering kan ændre forsyningskæder og TTM.
Langsigtet perspektiv (2025–2030): Mulige katalysatorer
- EV-andelen fortsætter op; 800 V-arkitekturer øger SiC-efterspørgslen i drivlinjer og ladere.
- AI-cloud-vækst løfter GaN i server-PSU’er, rectifiers og high-density PFC/LLC-designs.
- Netmodernisering og HVDC skaber flere højspændings-konvertere (SiC), inkl. stations- og offshore-udstyr.
- 200 mm-modning sænker cost/ampere og kan flytte andele fra Si til SiC i flere applikationer.
- M&A og partnerskaber: Vertikal integration (substrat→device→modul) og OEM-alliancer kan skabe vindere.
- Regulatoriske standarder for effekt-effektivitet (datacentre, opladere, industri) driver udbredelse af wide-bandgap.
FAQ
Hvad er forskellen på SiC og GaN?
SiC egner sig til høj spænding og temperatur (EV, industri, grid), mens GaN skinner ved høj frekvens og effekttæthed (datacentre, opladere, telecom).
Hvilke sektorer driver efterspørgslen i 2025?
EV og DC-hurtigladning for SiC; AI-datacentre og avancerede server-PSU’er for GaN. Industrielle drev og sol/vind-invertere gavner begge.
Er vertikal integration vigtig?
Ja. Egen wafer/substratkapacitet kan give omkostnings- og forsyningsfordele, men det øger capex og eksekveringsrisiko.
Hvordan vurderer jeg kvaliteten af en SiC/GaN-portefølje?
Se på design-wins hos store OEM’er, roadmap for 200 mm SiC, GaN-pålidelighed ved høj frekvens, samt bruttomargin-trenden.
Hvilke nøgletal bør følges kvartal for kvartal?
Ordreindtag i EV/ladere/datacentre, book-to-bill, kapacitetsudnyttelse, yield-kommentarer, capex-planer og FCF-konvertering.
Hvad kan gå galt?
Yield-problemer, forsinkede fab-ramps, svag efterspørgsel i cykliske slutmarkeder, prispress og skift i materialevalg.