Wide-bandgap-materialer er kernen i elektrificeringen. SiC sænker tab ved høje spændinger og temperaturer og er derfor førstevalg i EV-invertere, DC-hurtigladere, industrielle drev og grid-konvertere. GaN leverer ekstrem switch-hastighed og effekttæthed, og presser sig ind i server-PSU’er, telecom-udstyr og kompakte opladere.
For investorer står valget ofte mellem kapitaltunge, men dybe moats i SiC-wafer/devices og hurtigere, mere asset-lette GaN-elektronikcases. Nedenfor sammenlignes de to spor – med konkrete tickers.
Kort opsummering
- SiC (siliciumkarbid) vinder i høj spænding/høj effekt (EV-drivlinjer, DC-hurtigladning, industriel/ grid). GaN (galliumnitrid) vinder i høj frekvens/effekttæthed (datacentre, telecom, opladere).
- SiC-wafer side: renere gearing til EV/industri, men høj capex og yield-risiko; “vinderne” er dem, der mestrer 200 mm.
- GaN-elektronik side: lavere capex, hurtigere “design-win” cyklus, men hårdere konkurrence og hurtigere prisfald.
- Aktier at følge: SiC-wafer/devices: Wolfspeed (NYSE:WOLF), onsemi (Nasdaq:ON), STMicro (NYSE:STM), Rohm (TYO:6963), Coherent (NYSE:COHR). GaN-elektronik: Infineon (FRA:IFX), Texas Instruments (Nasdaq:TXN), Power Integrations (Nasdaq:POWI), Navitas (Nasdaq:NVTS), STMicro (NYSE:STM).
- Porteføljestrategi: Kombinér en SiC-wafer/device-compounder med 1–2 GaN-platforme eksponeret mod datacentre/PSU’er.
Hvad skiller SiC og GaN på investeringssiden?
SiC – “dybe skyttegrave, tung eksekvering”
- Moat-drivere: Egen substrat/boule/epi + devices/moduler → kontrol over kost/ampere og forsyningssikkerhed.
- Nøglerisiko: Yield på 200 mm, defektdensitet, langsomme rampekurver; stor capex før indtjening.
- Afhængighed: EV-cyklikken og OEM-kontrakter (multi-årige), samt DC-hurtigladere og industri.
GaN – “høj hastighed, lavere kapital, men prispress”
- Moat-drivere: IP/design, højfrekvens-performance, reference-designs hos PSU-leverandører.
- Nøglerisiko: Hurtige ASP-fald, konkurrence fra store mixed-signal-spillere, kvalificering i mission-critical PSU’er.
- Afhængighed: Datacentre/AI-PSU’er, telecom-strøm, forbrugerelektronik (oplader/adapter).
Kort over aktierne
SiC – wafer/substrat + devices/moduler
| Selskab | Ticker | Rolle | Strategisk vinkel |
|---|---|---|---|
| Wolfspeed | NYSE:WOLF | SiC-substrater + devices | Ren WBG-eksponering; høj gearing til 200 mm; stor eksekverings-/yield-risiko men stor upside. |
| onsemi | Nasdaq:ON | Vertikal SiC (boule→device) | Lange EV-aftaler; kontrollerer egen waferkæde; kvalitet i margin-mix. |
| STMicroelectronics | NYSE:STM | SiC devices + intern wafer | Stor EV-pipeline; integration til bilmoduler; balance mellem vækst og solid FCF. |
| Rohm | TYO:6963 | SiC devices/moduler (SiCrystal) | Pioner i auto/industri; konservativ, men bred kundeprofil. |
| Coherent | NYSE:COHR | SiC-substrater (ekstern leverandør) | “Pick-and-shovel” til branchen; gearing til generel SiC-efterspørgsel på tværs af kunder. |
Andre relevante: Infineon (FRA:IFX) og Mitsubishi Electric (TYO:6503) i moduler/industrial; Renesas (TYO:6723) udvider SiC-portefølje.
GaN – power electronics (IC’er, switches, moduler)
| Selskab | Ticker | Rolle | Strategisk vinkel |
|---|---|---|---|
| Infineon Technologies | FRA:IFX | GaN + bred powerportefølje | Kanal til server/telecom + auto; stordrift og distributionskraft. |
| Texas Instruments | Nasdaq:TXN | GaN/Si power-IC’er | Kvalitetsprofil, lavere cyklikalitet; stor kundebase i industri/datacentre. |
| Power Integrations | Nasdaq:POWI | GaN-baserede AC-DC switcher-IC’er | Høj bruttomargin, stærk IP; gearing til høj-effekt adaptere/server. |
| Navitas Semiconductor | Nasdaq:NVTS | GaN + SiC (fabless) | High-growth platform; højere risiko, men tæt på AI-PSU/oplader-vækst. |
| STMicroelectronics | NYSE:STM | GaN devices | Kryds-eksponering til server/telecom; kan scale via eksisterende kundeøkosystem. |
Andre: Power-fokuserede nichehuse og større foundries, men begrænset ren børsnoteret GaN-purity uden for ovenstående.
Hvad kan outperforme 2025–2030?
Base-case scenarier
- SiC outperformance hvis: 200 mm yields modnes, EV-penetration stiger, DC-hurtigladning standardiseres, og grid-konvertere skalerer.
- GaN outperformance hvis: AI-datacentres effektbudgetter strammes, PSU-designs skifter mod højere frekvens/effekttæthed, og GaN bliver “default” i server/telecom.
Bull-case katalysatorer
- SiC: Nye flerårige auto-aftaler (OEM/Tier-1), hurtige wafer cost-downs, modul-platforme låses ind i 800 V-arkitekturer.
- GaN: Masseadoption i 2–5 kW server-PSU’er, brede reference-designs hos top-ODM’er, robust reliability-data der åbner for mission-critical.
Bear-case risici
- SiC: Langvarige yield-problemer på 200 mm, EV-efterspørgsel under forventning, finansiel belastning af capex.
- GaN: Prispress fra store analog-spillere, forsinket datacenter-adoption, “good-enough” Si-løsninger i mid-power.
Hvordan vælge? (Praktisk How-To)
- Slutmarkedsmix: Hvor stor andel EV/ladere (SiC) vs. datacentre/telecom (GaN)?
- Teknologiplan: 200 mm-roadmap (SiC), pålidelighedsdata & reference-designs (GaN).
- Vertikal integration: Egen boule/epi (SiC) eller stærke foundry-partnerskaber (GaN).
- Kontrakter/design-wins: Auto-SOP’er, PSU-designs hos store ODM/hiperscalere.
- Unit economics: Bruttomargin-trend, ASP-erosion, yield/udbytte, capex-intensitet.
- Valuation vs. ramp-risiko: Sæt multipler op mod eksekvering (kapacitetsramp, certificering, kvalificering).
Porteføljeidé (illustrativ, ikke rådgivning)
- Kerne (SiC-compounder): 1 valgt blandt ON / STM / IFX, alt efter præference for vertikal integration (ON) vs. bred diversifikation (STM/IFX).
- Høj gearing (SiC-substrat): WOLF eller COHR for wafer-beta (høj risiko/høj potentiale).
- Vækstben (GaN-design): POWI (kvalitet/IP) + NVTS (hurtigvoksende platform).
- Balanceringsben: Én stor analog/power-divers (TXN/IFX) for at dæmpe volatilitet.
(Tilføj interne links: [LINK: SiC & GaN grundkursus], [LINK: EV-effekthalvledere], [LINK: Datacenter-PSU-tendenser])
Risici & udfordringer
- Teknologi/Yield: SiC 200 mm defektdensitet; GaN pålidelighed ved høj frekvens/temperatur.
- Capex & finansiering: SiC-fabs kræver milliarder; ramp-slip kan udhule egenkapital.
- Cyklicitet: EV- og datacentercyklus kan svinge kraftigt; lager-reset kan give “air pockets”.
- Kundekoncentration: Få store OEM’er/ODM’er kan dominere salget; tab af ét design kan mærkes.
- Priserosion: Begge markeder ser strukturelt fald i ASP; kræver kontinuerlige cost-downs.
- Geopolitik/handel: Eksportkontrol, regionalisering og incentives kan flytte forsyningskæder.
Langsigtet perspektiv (2025–2030) – hvad taler for hvad?
- Pro SiC: EV-platforme går mod 800 V, DC-hurtigladning standardiseres, og net/høj-effekt-konvertere skalerer. 200 mm modning kan blive “moment of truth”.
- Pro GaN: AI-datacentres strømforbrug eskalerer; krav om høj effekttæthed flytter PSU-designs til GaN.
- Begge: Regulering for energieffektivitet, samt hybridløsninger (SiC primær, GaN sekundær) i komplekse strømveje.
FAQ
Hvad er den vigtigste forskel mellem investering i SiC-wafer og GaN-elektronik?
SiC-wafer er mere kapitaltungt med dybere moats, men høj eksekveringsrisiko. GaN-elektronik er mere asset-let, skalerer hurtigere, men har hårdere prispress.
Hvem er de mest rene SiC-plays?
Wolfspeed (WOLF) for substrater/devices og Coherent (COHR) for SiC-substrater. onsemi (ON) har vertikal integration og EV-gearing.
Hvilke GaN-aktier er mest direkte eksponeret mod strømforsyninger/datacentre?
Power Integrations (POWI) og Navitas (NVTS); Infineon (IFX) og STMicro (STM) giver bredere, men stærk GaN-eksponering.
Hvad er den største katalysator for SiC i 2025–2027?
Stabilt 200 mm yield + nye flerårige auto-aftaler og cost-downs per ampere.
Hvad kan accelerere GaN mest?
Masseadoption i server-PSU’er og telecom, drevet af effekttæthed/effektivitet og reference-designs hos de største ODM’er.
Hvordan balancerer jeg en WBG-kurv?
Én SiC-compounder + én substrat-beta + 1–2 GaN-design-navne + en analog/power-divers til at stabilisere volatiliteten.