Silisiumkarbid (SiC) og galliumnitrid (GaN) står i sentrum for neste generasjon kraftelektronikk. Mens SiC-waferprodusenter leverer selve grunnmaterialet som alle kraftkomponenter bygges på, befinner GaN-aktørene seg høyere opp i verdikjeden med ferdige transistorer, moduler og systemløsninger. Begge segmentene tilbyr store vekstmuligheter, men med ulike risikoprofiler: SiC kjennetegnes av høyt kapitalbehov og råvarekontroll, mens GaN preges av rask innovasjon og hard konkurranse. Denne artikkelen sammenligner styrker, svakheter og investeringsmuligheter i de to teknologiene – og ser på hvem som kan stå sterkest inn i 2025.
Hva er forskjellen – og hvorfor sammenligne?
- SiC-waferprodusenter leverer substrater / epi-materiale som basis for SiC-powerkomponenter (MOSFET, diode osv.). De opererer nærmest «materialnivået» i verdikjeden.
- GaN-kraftelektronikk (GaN power devices / komponenter / ICer) er lenger «oppe» i verdikjeden: GaN-transistorer, GaN-baserte kraftmoduler, driverkort, systemintegrasjon osv.
Å investere i wafernivå innebærer ofte høy teknisk risiko, store kapitalkrav og skalering av produksjonskapasitet. GaN-komponentnivå gir mulighet for å vinne på design-, produkt- og systeminnovasjon, men konkurransen er intens og marginpress høyt.
Nøkkelspillere og trender i 2025
SiC-waferprodusenter (eller SiC-substrat / epi-materiale)
- Wolfspeed Inc. er ofte listet som ledende i SiC-wafermarkedet, med ekspansjonsplaner og volumproduksjon.
- II-VI Incorporated er en aktør som også leverer SiC-materiale og wafer-relatert virksomhet.
- Større leverandører som STMicroelectronics, Infineon og ROHM planlegger utvidelser eller ferdigstiller nye 8-tommers SiC-fabrikker.
- Trender indikerer at 14 nye 8-tommers SiC-fabrikker er planlagt globalt, blant aktører som ST, Onsemi, Infineon, Wolfspeed, ROHM og flere.
Fordel med SiC-wafersegmentet: aktørene er essensielle råvareleverandører – ved knapphet vil deres marginer kunne være sterke. Ulempen: høy kapitalbehov, teknologisk risiko og svært tøff konkurranse i skala.
GaN-kraftelektronikk
- EPC (Efficient Power Conversion) er kjent for GaN FETs og ICer.
- Transphorm er en GaN-transistorutvikler som nylig ble kjøpt opp av Renesas.
- Infineon Technologies har gjort teknologiske gjennombrudd i GaN og ambisjoner om å øke sin markedsandel.
- Innoscience er en aktør med fokus på GaN-on-Si produksjon og integrert GaN-teknologi som en dedikert IDMer.
- GaN brukes i hurtiglading, datasenterkraft, solomformere og høyfrekvent strømstyring.
GaN-komponenter gir ofte høyere effektivitet, lavere volum og lavere ledningstap når designet riktig, spesielt i høyfrekvensapplikasjoner. Men konkurransen er stor, og teknologisk modenhet, patenter og stabilitet spiller en stor rolle.
Sammenligning: styrker, svakheter og investeringsvurdering
| Aspekt | Fordel for SiC-wafer | Risiko / svakhet | Fordel for GaN-komponent | Risiko / svakhet |
|---|---|---|---|---|
| Kontroll over råmateriale | Våre aktører er kritiske leverandører – mulig monopolkraft | Kapitalkrevende investeringssyklus | Høyere verdiøkning mulig | Avhengighet av waferleverandører og patenter |
| Marginpotensial | Ved knapphet kan waferpriser være høye | Hvis overkapasitet skapes, kan prispress oppstå | Komponentnivå kan ha høyere margin | Sterk konkurranse og prispress |
| Skaleringsrisiko | Fabrikkbygging langsom, utstyr kostbart | Teknologiovergang eller produksjonsfeil gir tapsrisiko | Komponentdesign og volum kan skaleres raskere | Krever sterke FoU og konkurransedyktige produkter |
| Markedshorisont | Langsiktig avhengighet for SiC-markedet (EV, kraft) | Teknologiendringer (f.eks. nytt materiale) kan gjøre deler overflødige | GaN-marked vokser i mange nisjer | Delvis substituerbar teknologi, krav til robusthet |
| Diversifisering | Færre aktører, større konsentrasjon, høy risiko | En enkelt feil kan slå hardt ut | Flere aktører, mer segmenttilpasset risiko | Risiko for å bli utkonkurrert uten differensiering |
Hvilken avkastning kan man forvente i 2025 (og framover)?
Her er noen scenarioer:
- Base case: Begge segmenter vokser. SiC-wafer aktører kan ha moderat, men mer stabil vekst. GaN-komponentaktører kan levere høy vekst i markeder som hurtiglading, invertere, datasentre.
- Upside case (teknologisuksess + knappe leveranser): SiC-waferprodusenter kan se høye marginer og kontraktsforhandlinger i eget segment.
- Downside case (teknologisk skifte / overkapasitet): Begge segmenter kan møte prispress, men wafer-nivå kan være mer sårbar pga harde kapitalkostnader.
I 2025 kan fordelene tippe litt mot GaN-komponentaktører i de mest modne applikasjonene (hurtiglading, datainfrastruktur) fordi de kan reagerer raskere på markedsbehov. Men det er ikke et eksklusivt valg – SiC-waferaktører bør behandles som strategiske posisjoner for de som tror på langvarig råvareknapphet og vertikal kontroll.