Krafthalvledare är en av energiomställningens tydligaste vinnarvertikaler. SiC dominerar högspänningsapplikationer (EV-invertrar, DC-snabbladdare, sol/vind, industriella drivsystem), medan GaN accelererar i högfrekventa, mellanspännings- och konsumentnära applikationer (USB-C-laddare, datacenter-PSU, telekom).
För investerare står valet ofta mellan kapitalintensiva, vertikalt integrerade SiC-wafer/devices med djup moat – och snabbrörliga GaN-designbolag med hög marginal-potential per design-win. Rätt mix beror på din riskaptit, tidshorisont och hur du vill exponera dig mot EV-cykeln kontra elektronik/IT-capex.
Kort sammanfattning
- SiC (kiselkarbid) rider på EV-drivlinor, snabbladdning och elnät – hög kapitalbindning men djupa inträdesbarriärer.
- GaN (galliumnitrid) skalar i laddare, datacenter-PSU och telekom – lägre capex, snabbare produktcykler, hög bruttomarginal i nischer.
- Vertikalt integrerade SiC-aktörer kan få störst vinsthävstång när kapacitet fylls; fabblight GaN-designhus kan växa snabbare vid design-wins.
- Bästa portföljen 2025? Kärna i SiC + taktisk GaN-tillväxt för att kombinera defensiva inträdesbarriärer och hög beta mot nya designcykler.
Marknadsdrivare & Trender
SiC – “heavy duty” för högspänning
- EV & laddning: 800V-plattformar, on-board-chargers och DC-snabbladdare.
- Elkraft & industri: sol/vind-växelriktare, HV-drives, nätstöd.
- Inträdesbarriärer: boule/wafer-tillverkning, kristallkvalitet, yield och långkörande kvalificeringar.
GaN – effektivitet och miniatyrisering
- Konsument & IT: snabbladdare, gaming-/laptop-PSU.
- Datacenter/telekom: högfrekventa PSUs och kraftmoduler för rack/edge.
- Affärslogik: IP-drivna design-wins, snabb time-to-market, ofta fabless/fab-light.
Gemensamma teman 2025
- SiC-substrat blir flaskhalsen när EV-volymer svänger; god kapacitetsplanering belönas.
- GaN vinner ny mark i server-PSU och industriell kraft, utöver konsumentladdare.
- SiC/GaN tillsammans ökar systemverkningsgrad → lägre TCO för kunder → prispremie möjlig.
Kartläggning av börsbolag (utanför Kina)
A) SiC – wafer/substrat & vertikal integration
| Bolag | Ticker | Roll | Not |
|---|---|---|---|
| Wolfspeed | NYSE: WOLF | SiC-substrat & devices | “Pure-play” på SiC med stor kapacitetsutbyggnad. |
| onsemi | NASDAQ: ON | Vertikalt integrerad SiC (boule/wafer/devices) | EV-kunder, laddning, industriell kraft. |
| STMicroelectronics | NYSE: STM | SiC-devices, egen waferkedja i Europa | Stor EV-exponering, långsiktiga avtal. |
| ROHM | TYO: 6963 | SiC-devices (SiCrystal-wafer inom koncernen) | Stark bil- och industriposition i JP/EU. |
| Infineon | ETR: IFX | SiC-devices, växande intern/partner-wafer | Bred kraftportfölj, EV/industri. |
| Coherent Corp. | NYSE: COHR | SiC-substrat/epiwafer | “Picks-and-shovels” till ekosystemet. |
Investerarnot: Renodlad substratexponering (WOLF/COHR) ger hävstång mot hela SiC-ekosystemet, men också störst känslighet för cykler och yield. Vertikala aktörer (ON/STM/ROHM/IFX) kan jämna ut marginalerna via mix (wafer → modul).
B) GaN – kraft-IC & modulleverantörer
| Bolag | Ticker | Roll | Not |
|---|---|---|---|
| Navitas Semiconductor | NASDAQ: NVTS | GaN-power IC (fab-light) | Snabb växare i laddare/industri. |
| Power Integrations | NASDAQ: POWI | GaN-baserade switch-IC/driver | Stark position i laddare/PSU. |
| Transphorm | NASDAQ: TGAN | GaN-power devices | Fokus på högprestanda-GaN. |
| Qorvo | NASDAQ: QRVO | GaN-RF & power | Diversifierad GaN-kompetens (RF/power). |
| Texas Instruments | NASDAQ: TXN | GaN-power stage/driver | Stor kundbas, bred kraftportfölj. |
| STMicro/Infineon | STM / IFX | GaN-komponenter (delportföljer) | Kompletterar SiC-erbjudanden. |
Investerarnot: GaN-designhus tenderar att vara lättare i balansräkningen och kan leverera hög bruttomarginal när design-wins skalar. Samtidigt är kundkoncentration och prispress risker.
SiC vs. GaN – användningskarta
| Egenskap / Applikation | SiC | GaN |
|---|---|---|
| Spänning (typiskt) | Hög (≥650V upp till kV-nivå) | Låg-medel (65–650V), växande uppåt |
| EV-drivlinor & OBC | Starkast | Nisch (låga/mellan-V hjälpsteg) |
| DC-snabbladdare | Ledande | Utvalda steg/topologier |
| Sol/vind-invertrar, industri | Ledande | Växande i vissa moduler |
| Konsumentladdare (USB-C) | Överdimensionerat | Sweet spot |
| Datacenter/telekom-PSU | På uppgång | Snabb adoption |
| Capex/entry-barriär | Hög (wafer/boule) | Lägre (IP/design-win) |
| Bruttomarginal – enhetsmix | Stabil vid volym | Hög vid rätt nisch/design |
| Cykelkänslighet | EV/industri | Konsument/IT-capex |
Investeringsram: vilket spår 2025?
När SiC väger tyngst
- Du vill ha strukturell EV-/infrastruktur-beta och kan acceptera capex-cykler.
- Du gillar moats: materialvetenskap, kvalificering, långa kontrakt.
- Kandidater: WOLF, ON, STM, ROHM, IFX, COHR.
När GaN väger tyngst
- Du söker tillväxt via design-wins i laddare, PSU, telekom/edge och industri.
- Du föredrar kapitallätta modeller och snabbare produktcykler.
- Kandidater: NVTS, POWI, TGAN, QRVO, TXN.
Balanserad “barbell” 2025
- Kärna i SiC (vertikalt integrerad + en renodlad substratspelare).
- Taktisk GaN-satellit (1–2 design-drivna tillväxtcase).
- Addera ev. picks-and-shovels (verktyg/epiwafer) om du vill minska singelbolagsrisk.
Risker & Utmaningar
- Cykler & timing: EV-volymer, räntor och capex svänger – påverkar både SiC och GaN.
- Yield/kvalitet: Waferdefekter (SiC) eller tillförlitlighet i högfrekvens (GaN) kan pressa marginaler.
- Kundkoncentration: Enstaka stor-OEM kan dominera intäkter (särskilt GaN).
- Prispress & substitution: Snabb innovation kan flytta gränsen mellan SiC/GaN/Si.
- Valuta och handelsregimer: Exportregler och tullar kan påverka leveranser och kostnader.
Långsiktigt perspektiv (2025–2030): vad kan bli katalysatorer?
- EV-plattformar i 800–1000V standardiseras → fler SiC-innehåll per fordon.
- Datacenter-effektivitet (AI/edge) driver GaN-adoption i PSUs.
- Nätmodernisering & HV-drives gynnar SiC-moduler i industri/energi.
- Systemdesignskiften (topologier + digital styrning) kan öppna nya fickor för GaN i industri.
- Vertikal integration & långsiktsavtal förbättrar visibilitet (SiC); plattformsvinster accelererar GaN-skala.
Föreslagen portföljstruktur (exempel)
- 60–70 % SiC-kärna: ON / STM / IFX (stabila integrerade) + WOLF eller COHR (substrat-hävstång).
- 30–40 % GaN-tillväxt: NVTS / POWI (+ ev. TGAN som hög-beta).
- Övervaka kvartalsvis: orderbok, kapacitetsutnyttjande, design-pipeline, bruttomarginaler.
FAQ
Är SiC eller GaN “bäst” 2025?
Det beror på exponering. SiC ger djup strukturell beta mot EV/elnät med höga inträdesbarriärer; GaN ger snabbare tillväxt i laddare/PSU och högre marginaler per design-win.
Vilka aktier ger renast SiC-exponering?
Wolfspeed (WOLF) och Coherent (COHR) för substrat, samt onsemi (ON) och STMicro (STM) för vertikalt integrerad SiC.
Vilka är tydliga GaN-tillväxtcase?
Navitas (NVTS) och Power Integrations (POWI) i laddare/PSU; Transphorm (TGAN) i högprestanda-GaN.
Hur sprider jag risken mellan SiC och GaN?
Bygg en SiC-kärna (integrerad + substrat) och komplettera med 1–2 GaN-designhus. Rebalansera mot EV-nyheter och datacenter-capex.
Vad bevakar jag i rapporterna?
SiC: wafer-yield, kapacitetsutbyggnad, EV-kunder. GaN: design-wins, genomsnittlig försäljningspris (ASP), mix mot datacenter/industri.