L’électronique de puissance vit une mutation majeure avec la montée du SiC et du GaN, matériaux plus performants que le silicium classique.
- Les wafer fabs SiC sont devenues des actifs stratégiques : elles permettent de sécuriser l’approvisionnement de l’industrie automobile et des projets HVDC.
- Le GaN s’impose dans les chargeurs, data centers et applications RF, mais reste à une échelle plus petite et plus fragmentée.
Pour les investisseurs, la question n’est pas SiC ou GaN, mais dans quelle proportion intégrer chaque technologie selon l’horizon et le profil de risque.
Résumé rapide
- SiC (carbure de silicium) : technologie dominante pour les véhicules électriques, HVDC et haute puissance → forte visibilité jusqu’en 2030.
- GaN (nitrure de gallium) : idéal pour les applications basse/moyenne puissance (chargeurs rapides, data centers, RF) → croissance rapide mais marché plus fragmenté.
- Producteurs de wafers SiC : Wolfspeed, STMicroelectronics, Rohm, II-VI (Coherent), Infineon.
- Fabricants GaN : Navitas, EPC, GaN Systems (rachat Infineon), Power Integrations.
- Stratégie 2025 : privilégier le SiC pour la solidité et l’adoption massive ; garder une exposition GaN comme pari croissance dans les niches en expansion.
1. SiC (Carbure de silicium) : la voie de la haute puissance
Applications clés
- Véhicules électriques : onduleurs et MOSFET SiC pour augmenter l’efficacité et l’autonomie.
- Infrastructure de recharge : bornes rapides et ultra-rapides.
- Réseaux & HVDC : convertisseurs haute puissance.
- Industriel : variateurs de vitesse, équipements haute tension.
Acteurs cotés majeurs
| Entreprise | Ticker | Rôle clé |
|---|---|---|
| Wolfspeed | WOLF (Nasdaq) | Pure player SiC, leader wafers. |
| STMicroelectronics | STM.PA (Euronext) | Fournisseur SiC pour Tesla, expansion capacité. |
| Infineon | IFX.DE (Xetra) | Développe SiC et contrôle supply chain. |
| Rohm Semiconductor | 6963.T (Tokyo) | Fournisseur SiC automobile. |
| Coherent (ex-II-VI) | COHR (Nasdaq) | Fournisseur wafers SiC. |
Opportunité
- Forte demande auto et énergie → carnets de commandes pluriannuels.
- Barrières technologiques élevées, concentration des acteurs.
Risques
- Capex massif pour développer des fabs.
- Dépendance à la vitesse d’adoption EV.
- Forte cyclicité semi-conducteurs.
2. GaN (Nitrure de gallium) : la voie des niches rapides
Applications clés
- Chargeurs rapides : smartphones, laptops, accessoires.
- Data centers : alimentation plus efficace, réduction pertes.
- Électronique grand public : chargeurs compacts.
- RF et satellites : communications, radar, militaire.
Acteurs cotés majeurs
| Entreprise | Ticker | Rôle clé |
|---|---|---|
| Navitas Semiconductor | NVTS (Nasdaq) | Spécialiste GaN, solutions intégrées. |
| EPC (Efficient Power Conversion) | Privée/US | Leader niche GaN. |
| Infineon | IFX.DE (Xetra) | A acquis GaN Systems (Canada). |
| Power Integrations | POWI (Nasdaq) | Actif en GaN pour convertisseurs basse puissance. |
| Transphorm | TGAN (Nasdaq) | Développe modules GaN. |
Opportunité
- Adoption massive prévue dans les chargeurs et les serveurs.
- Faible coût unitaire en masse → volume élevé.
- Potentiel explosif si adoption rapide dans les data centers.
Risques
- Marché très concurrentiel, faible concentration.
- Marges sous pression (commoditisation rapide).
- Dépendance au grand public et cycles IT.
3. Comparatif stratégique SiC vs GaN (2025)
| Critère | SiC | GaN |
|---|---|---|
| Puissance cible | Haute puissance (EV, HVDC, industriel) | Basse/moyenne puissance (chargeurs, data centers, RF) |
| Cycle d’adoption | Déjà en phase industrielle (EVs, bornes) | Plus précoce, forte croissance attendue |
| Barrières à l’entrée | Élevées (wafers complexes, fabs chères) | Moins élevées (plus d’acteurs, IP partagée) |
| Visibilité revenus | Forte (contrats auto/pluriannuels) | Moyenne (marché fragmenté) |
| Risque | Capex lourd, concentration fournisseurs | Commoditisation, pression prix |
| Exposition investisseurs | STMicro, Infineon, Wolfspeed, Coherent | Navitas, Power Integrations, Infineon (GaN Systems) |
4. Stratégie d’investissement 2025–2030
- Cœur de portefeuille (croissance visible) : privilégier le SiC (Wolfspeed, STMicro, Infineon) → adoption rapide dans l’auto et les réseaux.
- Pari satellite (croissance spéculative) : garder une exposition au GaN (Navitas, Power Integrations, Infineon) → fort potentiel dans data centers et électronique grand public.
- Diversification par ETF semi-conducteurs (SOXX, SMH) pour amortir la volatilité.
- Suivi clé : expansions de fabs SiC, adoption GaN par hyperscalers et OEM de chargeurs.
FAQ
Pourquoi le SiC est-il clé pour les véhicules électriques ?
Parce qu’il réduit les pertes, améliore l’efficacité et permet d’allonger l’autonomie avec des batteries plus compactes.
Le GaN peut-il remplacer le SiC ?
Non, ils sont complémentaires : SiC pour la haute puissance, GaN pour les applications basse/moyenne puissance.
Quelles entreprises dominent la production de wafers SiC ?
Wolfspeed, STMicro, Infineon, Rohm et Coherent.
Quels sont les leaders du GaN côté cotés ?
Navitas, Power Integrations, Transphorm, et Infineon via l’acquisition de GaN Systems.
Quel choix privilégier en 2025 ?
Miser principalement sur le SiC pour la visibilité long terme, avec une allocation secondaire sur le GaN comme pari croissance dans les niches rapides.