Wide-Bandgap (WBG) verändert die Energieumwandlung. SiC adressiert hohe Spannungen/Leistungen (EV-Inverter, Industrie-Drives, PV/HV-Umrichter); GaN punktet mit hoher Schaltfrequenz und Leistungsdichte (Server-PSUs, Schnellladen, Telekom/5G).
Für Investoren stellt sich 2025 die Kernfrage: Upstream-Engpass mit operativem Leverage (SiC-Wafer/Epi) – oder breiter, schneller adressierbare Anwendungen (GaN-Power-Devices/ICs)? Die Antwort hängt von Risikotoleranz, Zeithorizont und Zykluseinschätzung ab.
Kurzfassung
- SiC-Upstream (Wafer/Epi) = Engpass & Preissetzungsmacht, aber kapitalintensiv und ramp-sensitiv.
- GaN-Power = schneller Design-Win-Takt in Server/Charger/Industrie, aber stärkerer Preisdruck.
- 2025: EV-SiC bleibt struktureller Treiber; GaN beschleunigt in Rechenzentren & Schnellladen.
- Für risikobewusste Anleger: diversifizierte Device/Module-Player; für chancenorientierte: selektive SiC-Upstream-Hebel oder GaN-Pure Plays.
Markttrends 2025–2030 (Investor-Fokus)
SiC (Siliziumkarbid)
- EV-Hochlauf: 800-V-Plattformen treiben SiC-MOSFET/Module; OEMs sichern Lieferketten via LTAs.
- 200-mm-Ramp: Kostendegression & Yield-Hebel – entscheidend für Margen und Stückzahlen.
- Industrie/Netz: Mittelspannungs-Umrichter, PV/Storage-Inverter, Netzstabilisierung erhöhen Mixqualität.
GaN (Galliumnitrid)
- Rechenzentren & KI-Last: GaN in PFC/LLC-Stufen für hocheffiziente Server-Netzteile.
- Schnellladen: 45–350 W Consumer/Industrie; wachsende 650 V-Designs in Industrie-PSUs.
- Monetarisierung: IP-starke Anbieter integrieren Treiber+FET (GaN-ICs) und beschleunigen Design-Zyklen.
Wertschöpfung & Ökonomie – wo entsteht das Alpha?
| Kette | Werttreiber | Risiko | Cash-Profil |
|---|---|---|---|
| SiC-Upstream (Substrat/Epi) | Knappheit, 200-mm-Skalierung, OEM-Bindung | Yield-Volatilität, hoher Capex, Ramp-Risiko | Später, aber stark bei erfolgreicher Skalierung |
| SiC-Devices/Module | Design-Wins in Auto/Industrie, Packaging-IP | ASP-Erosion bei Wettbewerb, Qualifizierungsdauer | Solide, mit höherer Visibilität (LTAs) |
| GaN-Devices/ICs | Time-to-Market, Referenzdesigns, Systemintegration | Preis-/Mixdruck, Foundry-Abhängigkeit | Früher wirksam, asset-leichter, skalierbar |
Unternehmenslandschaft (exemplarische Auswahl, ex-China)
SiC-Upstream & integrierte Wetten
| Unternehmen | Ticker | Region | Rolle |
|---|---|---|---|
| Wolfspeed | WOLF | NYSE (US) | Substrate/Epi + Devices; größter Hebel auf 200-mm-Yield |
| Coherent | COHR | NYSE (US) | Substrate/Epi-Kapazitäten; kritischer Zulieferhebel |
| ROHM | 6963.T | TSE (JP) | SiC-Devices/Module; Upstream durch Beteiligungen abgesichert |
| Infineon | IFX.DE | Xetra (DE) | Vertikal (SiCrystal in-house), breite Auto/Industrie-Pipeline |
| STMicro | STM | NYSE/Euronext | SiC-Devices/Module, Kapazitätsausbau für Auto/Industrie |
| onsemi | ON | Nasdaq (US) | SiC-Module/Devices mit Auto-Fokus, LTAs mit OEM/Tier-1 |
GaN-Leistungselektronik
| Unternehmen | Ticker | Region | Rolle |
|---|---|---|---|
| Power Integrations | POWI | Nasdaq (US) | GaN-ICs für Netzteile/Server/Industrie |
| Navitas | NVTS | Nasdaq (US) | GaN-Pure-Play; Expansion in Server/Industrie + SiC-Vorstoß |
| Texas Instruments | TXN | Nasdaq (US) | GaN-Power-Stages, breiter Industriekundenzugang |
| Infineon / STMicro | IFX.DE / STM | EU/US | GaN-Portfolios ergänzen SiC; System-Cross-Selling |
| Transphorm | TGAN | Nasdaq (US) | GaN-Fokus; Nischen-Design-Wins, höheres Beta |
Marktkapitalisierungen schwanken; die Einordnung dient der Orientierung.
„Welche ist die bessere Wahl 2025?“ – Szenario-Vergleich
| Anlegertyp | Einschätzung 2025 | Besser geeignet |
|---|---|---|
| Quality/Defensive | Sichtbarkeit, Lieferfähigkeit, OEM-Bindung | Integrierte SiC-Device/Module-Leader (IFX, STM, ON) |
| High-Beta/Turnaround | Leverage auf 200-mm-Ramp & Knappheit | SiC-Upstream-Hebel (WOLF, COHR) |
| Growth/Asset-light | Schnelle Design-Zyklen, Datacenter-Upside | GaN-Pure/IC-Fokus (POWI, NVTS, TGAN) |
| Barbell-Strategie | Zyklusschutz + Upside | Mix aus SiC-Kernwert + GaN-Growth |
Kurzfazit:
- Baseline 2025: SiC-Device/Module-Leader bieten höhere Visibilität (EV/Industrie + LTAs).
- Upside optional: Wer an eine rasche 200-mm-Normalisierung glaubt, addiert SiC-Upstream-Hebel.
- ** thematisches Beta** in Datacentern/Schnellladen spricht für selektive GaN-Plays.
Investment-Checkliste (How-To)
- Design-Wins & Kundenmix
- Auto-OEM/Tier-1, Hyperscaler/PSU-Anbieter, Industrie-Inverter – Tiefe & Breite zählen.
- Fertigung & Roadmap
- SiC: 150→200 mm-Fortschritt, Epi-Qualität, Modul-Packaging-IP.
- GaN: Zuverlässigkeit (RDS(on)-Drift, SOA), monolithische GaN-ICs, Referenzdesigns.
- Verträge & Vertikale Tiefe
- LTAs/Take-or-Pay, eigene Substrate/Epi vs. Foundry-Abhängigkeit.
- KPIs & Finanzen
- Bruttomarge vs. Mix, FCF trotz Capex, Lagerumschlag, ASP-Trends.
- Risiko-Kontrollen
- Second-Source-Strategie, Ramp-Puffer, Qualifikationsstatus in Automotive/Industrie.
[LINK: Checkliste für Halbleiter-Due-Diligence] · [LINK: SiC/GaN-Wissensbasis] · [LINK: Verwandter Artikel – Beste SiC/GaN-Aktien ex-China]
Chancen & Risiken
Chancen
- Effizienzdividende: OEM-Shift zu WBG ermöglicht ASP-Prämien und Plattform-Lock-ins.
- Skalierung: 200-mm-SiC & GaN-IC-Integration senken Kosten und öffnen neue Märkte.
- Politischer Rückenwind: Effizienzvorgaben, EV-Quoten, Re/ Near-Shoring.
Risiken
- Ramp/Yield-Volatilität (SiC-Upstream) mit Cash-Burn-Risiko.
- Preis- und Mixdruck (GaN-Standardprodukte) bei stärkerem Wettbewerb.
- Kundendichte (wenige Großkunden) und Zyklik (EV/Industrie).
- Technologierisiko (Packaging, Zuverlässigkeit, Normen).
Langfrist-Ausblick 2025–2030 (Katalysatoren)
- EV-Penetration: breiter Roll-out von 800-V-Architekturen → SiC-Volumen & Modulmix steigen.
- AI-Datacenter: Effizienzvorgaben und Leistungsdichte → GaN in PFC/LLC & POL-Stufen.
- Grid & Industrie: SiC-Module in Mittelspannungs-Drives/Umrichtern, wachsende Service-Erlöse.
- M&A/Partnerschaften: OEM-Absicherung der Lieferketten (Equity-Deals, LTAs) und Konsolidierung bei GaN-IP.
FAQ
Ist SiC 2025 „sicherer“ als GaN?
Im Schnitt ja, weil Auto/Industrie-Pipelines und LTAs für höhere Visibilität sorgen. GaN bietet dafür höheres Wachstums-Beta in Server/Charger.
Warum gelten SiC-Waferproduzenten als Hebel-Wette?
Weil Yield/200-mm-Ramp die Kostenstruktur kippt. Gelingt die Skalierung, steigen Margen überproportional – scheitert sie, belasten Capex & Cash-Burn.
Wo spielt GaN seine Stärken aus?
In hoher Schaltfrequenz und Leistungsdichte – ideal für Rechenzentren, Schnellladen, Telekom und kompakte Industrie-Netzteile.
Was ist ein pragmatischer Einstiegsansatz?
Ein Core-Exposure in integrierte SiC-Device/Module-Leader (Qualität/Visibilität) plus taktische GaN-Satelliten für Wachstumshebel; optional ein kleiner SiC-Upstream-Call für Turnaround-Upside.
Welche KPIs beobachte ich quartalsweise?
Design-Win-Run-Rate, 200-mm-Fortschritt, Bruttomarge vs. Mix, FCF-Trend, LTAs/Preisindexierung und Inventar/Days-on-Hand.