L’électronique de puissance (onduleurs, convertisseurs, semi-conducteurs SiC/GaN) et les réseaux électriques intelligents (HVDC, smart grids) sont les piliers de la transition énergétique. Pour les investisseurs, ces segments offrent une croissance structurelle soutenue jusqu’en 2030, portée par les véhicules électriques, l’éolien offshore, le solaire, les interconnexions et la digitalisation des réseaux.

Mais ces industries sont capitalistiques, concurrentielles et cycliques. Ce guide propose une approche pratique pour sélectionner les bons instruments financiers et construire une allocation équilibrée.

Résumé rapide

Électronique de puissance = technologies critiques pour véhicules électriques, réseaux HVDC, renouvelables, data centers.
Trois approches d’investissement : actions individuelles, ETF thématiques, utilities & intégrateurs.
Critères clés : carnet de commandes, marges, R&D, exposition géographique.
Opportunités : transition énergétique, électrification, digitalisation des réseaux.
Risques : capex élevé, concurrence asiatique, volatilité des cycles semi-conducteurs.

1. Pourquoi investir dans l’électronique de puissance et les réseaux ?

Transition énergétique : intégration massive d’énergies renouvelables → besoin de conversion et transport efficaces.
Mobilité électrique : onduleurs SiC/GaN pour prolonger l’autonomie des EV.
Efficacité énergétique : data centers et industrie adoptent des composants de puissance nouvelle génération.
Réseaux HVDC et smart grids : interconnexions, câbles sous-marins, gestion numérique des flux d’énergie.

2. Approches d’investissement

2.1 Actions individuelles (stock picking)

Exemples d’acteurs cotés par sous-segment :

Semi-conducteurs de puissance : Infineon (IFX.DE), STMicroelectronics (STM.PA), Wolfspeed (WOLF), ON Semiconductor (ON).
Onduleurs & équipements réseau : SMA Solar (S92.DE), Siemens Energy (ENR.DE), ABB (ABBN.SW), Hitachi (6501.T).
Câbles HVDC/sous-marins : Prysmian (PRY.MI), Nexans (NEX.PA), NKT (NKT.CO).
Plateformes logicielles / smart grids : Schneider (SU.PA), Itron (ITRI), Tantalus (GRID.TSXV).

Avantage : exposition directe aux leaders et pure players.
Inconvénient : nécessite du suivi régulier (backlog, marges, exécution projets).

2.2 ETF et fonds thématiques

ETF semi-conducteurs : iShares Semiconductor ETF (SOXX), VanEck Semiconductor ETF (SMH).
ETF énergie propre & réseaux : iShares Global Clean Energy (ICLN), Invesco WilderHill Clean Energy (PBW), Lyxor New Energy (NRJ.PA).
ETF infrastructures électriques : First Trust NASDAQ Clean Edge Smart Grid Infrastructure Index (GRID).

Avantage : diversification sectorielle et géographique.
Inconvénient : moins ciblé sur les “pure players” européens.

2.3 Utilities & intégrateurs

Certaines utilities et intégrateurs captent la valeur de la flexibilité et des interconnexions :

Enel (ENEL.MI) : interconnexions et flexibilité via Enel X.
AES Corp. (AES) : stockage + services de réseau.
Elia Group (ELI.BR) : opérateur de transmission actif dans HVDC.

Avantage : cash-flow plus prévisible, dividendes.
Inconvénient : exposition diluée à d’autres activités régulées.

3. Critères pratiques pour analyser une action

Carnet de commandes (backlog) – couverture pluriannuelle, ratio book-to-bill.
Marges opérationnelles – capacité à maintenir la rentabilité malgré l’inflation matières et capex élevés.
R&D et innovation – part des dépenses en % du CA, dépôts de brevets.
Exposition géographique – présence sur marchés dynamiques (UE, US, Asie hors Chine).
Partenariats stratégiques – contrats avec constructeurs auto, utilities, data centers.
Solidité financière – structure de capital, cash-flow libre, couverture capex.

4. Opportunités et risques

Opportunités

Croissance double chiffre attendue pour SiC/GaN.
Explosion des projets HVDC & interconnexions offshore.
Digitalisation des réseaux et montée des smart grids.
Synergie EV–infrastructure (bornes, V2G, batteries réseau).

Risques

Délais et surcoûts fréquents sur projets HVDC.
Dépendance aux matières premières (cuivre, SiC wafers).
Concurrence agressive de la Chine et de l’Asie.
Cyclicité forte du marché des semi-conducteurs.
Valorisation parfois déjà tendue (surtout aux US).

5. Stratégie d’allocation (2025–2030)

Noyau défensif : ETF propres à l’énergie & semi-conducteurs pour diversification.
Satellite croissance : 2–3 pure players SiC/GaN + 1 fabricant de câbles HVDC.
Exposure réseau : 1–2 utilities / intégrateurs européens (Elia, Enel).
Poids max recommandé : 10–15 % d’un portefeuille actions diversifié pour ce thème.

FAQ

Pourquoi l’électronique de puissance est-elle stratégique ?
Parce qu’elle permet d’optimiser l’efficacité énergétique et de rendre possible l’intégration massive des renouvelables et des véhicules électriques.

Quels sont les meilleurs ETF pour s’exposer au secteur ?
SOXX, SMH pour les semi-conducteurs ; GRID, ICLN, NRJ.PA pour l’infrastructure et l’énergie propre.

Faut-il privilégier le SiC ou le GaN ?
Le SiC est clé pour la haute puissance (EV, HVDC, industrie), le GaN est plus adapté aux charges rapides et aux data centers.

Quelles entreprises européennes sont bien positionnées ?
Infineon, STMicroelectronics, Nexans, NKT, Schneider, Siemens Energy.

Quel horizon d’investissement viser ?
Au moins 5 à 10 ans : la création de valeur se fait sur des cycles d’investissement longs dans les réseaux et l’électrification.

Comment investir dans l’électronique de puissance et les réseaux : guide pratique pour investisseurs (2025)