SiC (silisiumkarbid) og GaN (galliumnitrid) er i ferd med å bli nøkkelteknologier for fremtidens kraftelektronikk – fra elbiler og ladere til sol- og vindintegrasjon i kraftsystemet. Etterspørselen vokser raskt drevet av elektrifisering, fornybar energi og behovet for mer effektive løsninger, samtidig som aktører utenfor Kina får økt strategisk betydning. Denne artikkelen ser nærmere på de viktigste selskapene, markedsdriverne og investeringsstrategiene som kan forme utviklingen fram mot 2030.
Hvorfor SiC og GaN er strategisk viktige
- SiC (silisiumkarbid) gir lavere tap, høyere termisk stabilitet og evne til høye spenninger, noe som gjør teknologien attraktiv for kraftkonvertering, EV-ladere, invertere og kraftsystemer.
- GaN (galliumnitrid) egner seg godt for høyfrekvente applikasjoner, mindre komponentstørrelse og lavere parasittiske tap, spesielt i mellom- og lavere effektsdomener.
- Overgangen til fornybar energi og elektrifisering av transport skaper raskt økt etterspørsel etter mer effektive effektkomponenter.
- Siden Kina har sterke aktører i denne sektoren, kan europeiske, amerikanske og japanske selskaper tilby strategisk diversifisering og tilgang til markeder med strengere regulering.
Viktige aksjekandidater (ekskl. Kina)
Her er noen av de mest lovende selskaper som allerede har posisjon innen SiC eller GaN eller som beveger seg mot disse teknologiene:
| Selskap | Ticker / børs | Region | Fokus / relevans innen SiC / GaN | Styrker / bemerkninger |
|---|---|---|---|---|
| Wolfspeed Inc. | NASDAQ: WOLF | USA | Rent SiC-spesialisert selskap | Vertikal integrasjon fra materialer til enheter; ren fokusering gir høy risiko og høy potensiell avkastning. |
| Infineon Technologies AG | XETRA: IFX | Tyskland | SiC komponenter (MOSFETs, dioder) | Sterk markedsposisjon i Europa, balanse mellom moden produksjon og innovasjon. |
| STMicroelectronics NV | Euronext / NYSE: STM | Sveits / EU | SiC-komponenter og GaN-partnerskap | Diversifisert portefølje, partnerskapsavtaler for GaN-teknologi. |
| ON Semiconductor Corp. | NASDAQ: ON | USA | SiC MOSFET og kraftmoduler | Bredt produktspekter og evne til å betjene flere markedssegmenter. |
| ROHM Semiconductor | (JP: 6963) | Japan | SiC og GaN-komponenter | God teknisk kompetanse og stabilitet; viktig aktør i Japan/Asia utenom Kina. |
| Power Integrations Inc. | NASDAQ: POWI | USA | GaN-strategi og effekt-ICer | Satser på GaN i høyspenningsapplikasjoner og tilbyr bred portefølje av effekt-ICer. |
| Navitas Semiconductor | NASDAQ: NVTS | USA | GaN-effekt-IC for ladere, invertere, EV-applikasjoner | Rask inntektsvekst, men også høy verdianslag og risiko. |
Markedstrender og drivere framover
- Sterk CAGR for SiC og GaN
Markedsrapporter indikerer årlige vekstrater ofte over 10 % for SiC-markedet og enda høyere for GaN i enkelte nisjer. - Adopsjon i EV- og ladeinfrastruktur
SiC MOSFET og dioder forbedrer rekkevidden og effektiviteten i elbiler og hurtigladere – en viktig vekstdrivende. - Overførings- og konverteringsapplikasjoner
For kraftsystemer, invertere, vindkraft og solsystemer kreves stadig mer effektelektronikk med høy effektivitet. - Teknologisk konkurranse og integrasjon
Aktører som kombinerer materialforskning, produksjon, systemintegrasjon og kontrollsoftware vil ha fordeler. - Geopolitikk og forsyningskjeder
Selskaper utenfor Kina reduserer avhengighet av kinesiske leverandører og møter regulatoriske insentiver og nasjonale sikkerhetshensyn.
Risiko og utfordringer å vurdere
- Kostnad og investering: Produksjon av SiC og GaN krever investeringer i materialer, fabrikker og avansert utstyr.
- Teknologisk risiko: Nye konkurrenter, patenter og materialinnovasjoner kan raskt endre konkurransebildet.
- Markedsadopsjon: Selv om teknologien er moden, må kundene (bilprodusenter, inverterleverandører, kraftselskaper) adoptere den.
- Prispress og marginer: Overproduksjon eller konkurranse kan presse marginene.
- Valutarisiko og handelsbarrierer: Internasjonale aktører blir utsatt for valutafluktuasjoner og handelsreguleringer.
- Konsentrasjon: Noen få store aktører dominerer markedsandeler, og nisjeselskaper kan ha utfordringer.
Hvordan bygge en investeringsstrategi
- Kombiner noen «core» (modne, diversifiserte) selskaper med ett eller to «growth / pure play» (høy risiko, høy potensiell gevinst).
- Følg nøye med på teknologiske nyvinninger, partnerskap, produksjonskapasitet og kontrakter.
- Spre risiko geografisk og teknologisk (SiC + GaN).
- Overvåk makroforhold som råvarepriser, subsidier og regulering i viktige markeder (USA, Europa, Japan).